Elektroniskās daļas : F2012

Ražotājs : POLYFET[Polyfet Devices]

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : F2012 PDF

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