Elektroniskās daļas : GT30J122

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : GENERATION IGBT CURRENT RESONANCE INVERTER SWITCHING

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT30J122 PDF

• GT30J101
• GT30J10106
• GT30J101_06
• GT30J121
• GT30J12106
• GT30J121_06
• GT30J122
• GT30J301
• GT30J311
• GT30J322
• GT30J324
• GT30J32406
• GT30J324_06