Elektroniskās daļas : GT30J324_06

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT30J324_06 PDF

• GT30J322
• GT30J324
• GT30J32406
• GT30J324_06