Elektroniskās daļas : JAN2N1722

Ražotājs : Microsemi Corporation

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : SILICON HIGH POWER TRANSISTOR

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : JAN2N1722 PDF

• JAN2N1011
• JAN2N1021A
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