Elektroniskās daļas : MM118-06F

Ražotājs : Microsemi Corporation

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : PHASE N-CHANNEL INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT BRIDGE

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : MM118-06F PDF

• MM118-06
• MM118-06F
• MM118-06L
• MM118-12
• MM118-XX