Elektroniskās daļas : F1001

Ražotājs : POLYFET[Polyfet Devices]

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE POWER VDMOS TRANSISTOR

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : F1001 PDF

• F10
• F10-SERIES
• F1001
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