Elektroniskās daļas : FSYC055D1

Ražotājs : Intersil Corporation

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Radiation Hardened, SEGR Resistant N-Channel Power MOSFETs

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : FSYC055D1 PDF

• FSYC055D
• FSYC055D1
• FSYC055D3
• FSYC055R
• FSYC055R1
• FSYC055R3
• FSYC055R4