Elektroniskās daļas : GT10J31206

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : SILICON CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT10J31206 PDF

• GT10J311
• GT10J312
• GT10J312(SM)
• GT10J31206
• GT10J312SM
• GT10J312_06