Elektroniskās daļas : GT10J321_06

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT10J321_06 PDF

• GT10J321
• GT10J32106
• GT10J321_06