Elektroniskās daļas : GT20J101

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon Channel IGBT

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT20J101 PDF

• GT20J101
• GT20J10106
• GT20J101_06
• GT20J301
• GT20J30106
• GT20J301_06
• GT20J311
• GT20J321
• GT20J32106
• GT20J321_06