Elektroniskās daļas : GT25Q102_06

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT25Q102_06 PDF

• GT25Q101
• GT25Q102
• GT25Q10206
• GT25Q102_06