Elektroniskās daļas : GT25Q301_06

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT25Q301_06 PDF

• GT25Q301
• GT25Q30106
• GT25Q301_06