Elektroniskās daļas : GT50J12106

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT50J12106 PDF

• GT50J121
• GT50J12106
• GT50J121_06
• GT50J122