Elektroniskās daļas : HN2D01JE

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Epitaxial Planar Type Ultra High Speed Switching Application

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : HN2D01JE PDF

• HN2D01F
• HN2D01F07
• HN2D01FU
• HN2D01F_07
• HN2D01JE
• HN2D02FU
• HN2D02FUTW1T1
• HN2D02FUTW1T1/D
• HN2D03F