Elektroniskās daļas : HN2E01F_07

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : MULTI CHIP DISCRETE DEVICE Super High Speed Switching Application

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : HN2E01F_07 PDF

• HN2E01F
• HN2E01F07
• HN2E01F_07