Elektroniskās daļas : IRGTDN150M12

Ražotājs :

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : TRANSISTOR | IGBT POWER MODULE | HALF BRIDGE | 1.2KV V(BR)CES | 280A I(C)

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet :

• IRGTDN150K06
• IRGTDN150M06
• IRGTDN150M12