Elektroniskās daļas : MG50H2YS1

Ražotājs : Toshiba

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : High Power Switching Application Silicon N-Channel IGBT

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : MG50H2YS1 PDF

• MG50H2YS1