Elektroniskās daļas : NTGD4169FT1G

Ražotājs : Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Power MOSFET Schottky Diode N−Channel with Schottky Barrier Diode, TSOP−6

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : NTGD4169FT1G PDF

• NTGD4169F
• NTGD4169FT1G