Elektroniskās daļas : PHB2N50E

Ražotājs : PHILIPS[Philips Semiconductors]

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : PowerMOS transistors Avalanche energy rated

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : PHB2N50E PDF

• PHB2N40T/R
• PHB2N50
• PHB2N50E
• PHB2N60E
• PHB2N60T/R