Elektroniskās daļas : RFP10N12

Ražotājs : GESS[GE

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : RFP10N12 PDF

• RFP10N12
• RFP10N12L
• RFP10N15
• RFP10N15L
• RFP10P03L
• RFP10P12
• RFP10P15