Elektroniskās daļas : TC55VBM316AFTN

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : TENTATIVE TOSHIBA DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : TC55VBM316AFTN PDF

• TC55VBM316
• TC55VBM316AFTN
• TC55VBM316AFTN40
• TC55VBM316AFTN55
• TC55VBM316ASTN40
• TC55VBM316ASTN55