Elektroniskās daļas : W4NXE4C-SD00

Ražotājs : Cree

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Diameter 76.2mm; select micropipe density; silicon carbide substrates. For high frequency power devices, high power devices, high temperature devices, optoelectronic devices, III-V nitride deposition

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : W4NXE4C-SD00 PDF

• W4NXE4C-0D00
• W4NXE4C-LD00
• W4NXE4C-SD00