Elektroniskās daļas : BUL642D2

Ražotājs : Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : BUL642D2 PDF

• BUL642D2
• BUL642D2G
• BUL64A
• BUL64B