BUL642D2G PDF DATASHEET
Elektroniskās daļas : BUL642D2G
Ražotājs : Semiconductor
Iepakošanas :
Kniepadatas :
Apraksts : High Speed, High Gain Bipolar Transistor with Integrated Collector−Emitter Built−in Efficient Antisaturation Network
Temperatūra : Min °C | Max °C
Datasheet : BUL642D2G PDF
BUL642D2G atgādina: