Elektroniskās daļas : GT50J322_06

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : SILICON CHANNEL IGBT FOURTH GENERATION IGBT

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT50J322_06 PDF

• GT50J322
• GT50J32206
• GT50J322_06
• GT50J325
• GT50J32506
• GT50J325_06
• GT50J327