Elektroniskās daļas : GT50J32506

Ražotājs : Toshiba Semiconductor

Iepakošanas :

Kniepadatas :

Apraksts : Silicon Channel IGBT High Power Switching Applications

Temperatūra : Min °C | Max °C

Datasheet : GT50J32506 PDF

• GT50J322
• GT50J32206
• GT50J322_06
• GT50J325
• GT50J32506
• GT50J325_06
• GT50J327